SK Hynix станет вторым производителем DRAM

Первой память с нормами класса 10 нм начала выпускать компания Samsung, сообщает "3Dnews".

Произошло это во втором квартале текущего года. Снижение технологических норм с 20-нм класса до 10-нм даёт возможность увеличить выход кристаллов памяти с каждой обработанной полупроводниковой пластины. Иначе говоря, открывает путь к снижению себестоимости производства памяти и к увеличению прибыли производителей.

Снижение технологических норм в масштабе ниже 20 нм сопряжено с рядом трудностей. Во-первых, для проекции на каждый критически важный слой "10-нм" микросхем необходимо два или даже три фотошаблона вместо двух. Во-вторых, физические размеры полупроводниковой области, где хранится заряд (бит данных), становятся настолько малы, что в игру вступают паразитные факторы в виде наводок и туннельных эффектов.

Не каждый производитель может быстро и в срок создать и внедрить необходимые технологии. Компания Samsung смогла и, похоже, SK Hynix сократила с ней отставание в данном вопросе с полутора лет до одного года.

В настоящий момент компания SK Hynix занята опытным выпуском микросхем DRAM с нормами класса 10 нм в условном поколении 1x. К массовому производству DRAM с нормами 1x она приступит во втором квартале 2017 года. Попутно в компании разрабатывают два других поколения 10-нм техпроцесса: 1у и 1z. Поясним, в компании Samsung принята следующая градация техпроцесса класса 10 нм: 1x — это 18-нм чипы, 1y — 15-нм и 1z — 10-нм.

В компании SK Hynix будет похожая классификация или не сильно отличающаяся. Попросту говоря, выпуск памяти с нормами класса 10 нм пройдёт три этапа. Число шагов при смене техпроцесса теперь увеличено, и с этим можно только смириться.

Фото: "3Dnews".