Toshiba приступила к постройке нового завода

Всему виной стала ошибочная политика американского подразделения Toshiba, отвечающего за атомную энергетику на территории США, сообщает "3Dnews".

Запланированное на февраль 2017 года начало строительства нового завода Toshiba по производству памяти 3D NAND никто не отменил. Начало строительство стартовало в срок — 9 февраля.

Новый завод компании получил название Fab 6. Строительство и запуск предприятия в строй пройдёт в два этапа. Линии первой очереди начнут выпускать флеш-память BiCS FLASH летом 2018 года. Объёмы производства будут определены позднее в соответствии с рыночной ситуацией. Toshiba не намерена держать полупроводниковый бизнес в загоне, хотя испытывает сильнейший за свою историю финансовый стресс. Отчасти компания рассчитывает привлечь к инвестициям в постройку Fab 6 своего нового производственного партнёра — компанию Western Digital, но без личной инициативы Toshiba этот проект мог быть отложен в долгий ящик.

Кроме завода по выпуску памяти рядом с новыми цехами начинает строиться новый исследовательский центр Toshiba. Центр займётся разработкой технологий производства перспективных видов памяти и усовершенствованием задействованных технологий выпуска 3D NAND. Завершение строительства центра ожидается в декабре 2017 года. Интересно добавить, что производством на заводе Fab 6 должен будет управлять искусственный интеллект. Тем самым в Toshiba рассчитывают заметно увеличить выход продукции за счёт лучшей организации производственных циклов.

В настоящий момент Toshiba выпускает 64-слойную память 3D NAND TLC ёмкостью 256 Гбит. Во второй половине года она планирует начать производство 64-слойной памяти 3D NAND TLC ёмкостью 512 Гбит. Судя по всему, предприятие Fab 6 начнёт свою работу летом 2018 года с производства 64-слойных 512-Гбит микросхем 3D NAND.

Фото: "3Dnews".