Техпроцесс 45RFSOI поможет приблизить 5G

Это уникальный техпроцесс, хотя технологические нормы производства 45RFSOI — это элементы размером 45 нм, сообщает "3Dnews".

Уникальность 45RFSOI в том, что на одной кремниевой подложке можно размещать логические цепи и цепи радиочастотных компонентов. Обычно радиочастотные коммутаторы, усилители мощности и другие модули для обработки высокочастотного сигнала выполнялись в виде отдельных чипов и с использованием редких материалов.

Техпроцесс 45RFSOI позволяет выполнить большинство радиочастотных цепей с применением традиционных материалов в классическом КМОП-техпроцессе. Единственное требование — это использование SOI-подложек с дополнительным слоем диэлектрика в кремнии.

За счёт использование изолирующего слоя удаётся избежать утечек и улучшить характеристики транзисторов, в том числе — значительно увеличить частотный потенциал. Комбинация логических и радиочастотных цепей ведёт к значительной экономии при производстве чипов и позволяет быстрее и с меньшими затратами вывести решения на рынок.

Техпроцесс 45RFSOI позволит выпускать решения, работающие в миллиметровом диапазоне от 24 ГГц до 100 ГГц. Это в пять раз больше, чем могут позволить решения поколения 4G (LTE). Высокое удельное сопротивление подложек RFSOI свыше 40 Ом/см обеспечивает максимально возможную добротность для пассивных элементов, что минимизирует потери энергии и снижает паразитные ёмкости. Тем самым также снижается уровень шумов, позволяя создавать усилители с хорошими характеристиками.

Техпроцесс 45RFSOI подходит также для выпуска решений для низкоорбитального спутникового Интернета и для всевозможных радаров бытовой направленности, например, для автомобильных автопилотов.

Радиочастотные компоненты на RFSOI хорошо согласуются с антенными решётками, позволяя формировать лепестки заданной направленности.

Производством чипов с использованием техпроцесса 45RFSOI на 300-мм подложках будет заниматься завод компании в Ист-Фишкилл. До лета 2015 года это был завода компании IBM, собственно, как и технология производства на SOI-подложках, обкатанная в лабораториях Голубого Гиганта в середине 2000-х годов.

Фото: "3Dnews".