УКРАИНА

SK Hynix и Toshiba создали STT-MRAM ёмкостью 4 Гбит

0

SK Hynix и Toshiba применяют технологию STT-MRAM - Spin-Transfer Torque Magnetic Random Access Memory

Компании SK Hynix и Toshiba отрапортовали о новых достижениях в разработке магниторезистивной памяти (MRAM)

Информация в MRAM хранится при помощи магнитных моментов, а не электрических зарядов, сообщает «3Dnews».

Магнитные элементы сформированы из двух ферромагнитных слоёв, разделённых тонким слоем диэлектрика. Один из слоёв представляет собой постоянный магнит, намагниченный в определённом направлении, а намагниченность другого слоя изменяется под действием внешнего поля.

SK Hynix и Toshiba применяют технологию STT-MRAM - Spin-Transfer Torque Magnetic Random Access Memory. Она использует «перенос спина» для перезаписи ячеек памяти. Данный эффект позволяет уменьшить величину тока, необходимую для записи информации в ячейку.

Модуль памяти STT-MRAM, созданный специалистами SK Hynix и Toshiba, имеет ёмкость 4 Гбит. Он состоит из восьми блоков объёмом 512 Мбит каждый. Изделие обладает энергонезависимостью, малым временем доступа и высокой скоростью передачи данных.

Более подробно о решении компании расскажут на мероприятии ISSCC 2017, которое пройдёт в феврале. Вывести разработку на коммерческий рынок SK Hynix и Toshiba рассчитывают в течение двух-трёх лет.

Фото: «3Dnews».

Читайте новости Comments.UA в социальных сетях facebook и twitter.

Теги: Toshiba, память

Версия для печати
Загрузка...
Loading...
властьвласть деньги деньги стиль жизнистиль жизни hi-tech hi-tech спорт спорт мир мир общество общество здоровье здоровье звезды звезды
Архив Экспорт О проекте/Контакт Информатор

Нажмите «Нравится»,
чтобы читать «Комментарии» в Facebook!

Спасибо, я уже с вами.

   © «КомментарииУА:», 2016

Система Orphus