В Китае стартовало строительство второй мегафабрики

В воскресенье в районе города Нанкин (восточный Китай) в присутствии местной и региональной партийной верхушки и руководителей города президент Tsinghua Unigroup Жао Вейгуо объявил о начале строительства крупного завода для выпуска флеш-памяти 3D NAND и памяти DRAM, сообщает "3Dnews".

Это второе по счёту предприятие для выпуска 3D NAND, в которое Tsinghua инвестирует средства за последние 12 месяцев.

Tsinghua Unigroup пыталась наладить тесные контакты с компаниями Micron, SK Hynix и рядом тайваньских производителей, чтобы получить доступ к более-менее крупным партиям флеш-памяти и памяти типа DRAM.

Энергонезависимая и оперативная память нужна китайской электронной промышленности во всё возрастающих количествах, тогда как основное производство памяти контролируется компаниями, на которые у Китая нет рычагов влияния. Выход в данной ситуации может быть только один: построить свои собственные заводы, благо денег на это хоть отбавляй.

Tsinghua создала СП Yangtze River Storage Technology с компанией XMC и приступила к строительству 300-мм завода общей мощностью 300 тыс. пластин в месяц. В этот проект инвестируется около $24 млрд.

Второй завод, строительство которого стартовало 12 февраля, получит инвестиции в объёме $30 млрд. и ещё порядка 30 млрд. юаней будет затрачено местными властями. Первая очередь линий, которая потребует инвестиций в объёме $10 млрд., сможет выпускать ежемесячно до 100 тыс. 300-мм пластин с чипами памяти NAND и DRAM.

Новый заводской комплекс под Нанкином раскинется на площади 6 км2. Кроме завода по выпуску памяти на территории нового технопарка будут построены исследовательский центр, корпуса для учебных учреждений, коммерческие заведения, здания для проживания сотрудников и другие инфраструктурные объекты, необходимые для работы одного из крупнейших в стране заводов. В компании пока не сообщают о дате ввода предприятия в строй, но обычно на запуск первой очереди линий требуется около двух лет.

Фото: "3Dnews".