УКРАИНА

Samsung и SK Hynix увеличивают инвестиции в 3D NAND

0

Пропорция производства DRAM/NAND у Samsung равна 6/4, а у SK Hynix - 7/3

Начало строительства в Китае крупных производственных кластеров для выпуска памяти 3D NAND и DRAM пока можно рассматривать как призрачную угрозу международному рынку памяти

Реальной она станет не раньше, чем через пять-семь лет, сообщает «3Dnews».

До этого за рынок памяти будут бороться действующие лидеры - компании Samsung Electronics, SK Hynix и Micron. Обе южнокорейские компании намерены совершить упреждающие действия, которые укрепят их позиции на рынке памяти.

В 2017 году инвестиции Samsung Electronics и SK Hynix в полупроводниковый бизнес составят $14 млрд. (15,97 трлн. вон). Это на 27,3 % больше, чем в 2016 году ($11 млрд. или 12,55 трлн. вон). Samsung инвестирует в заводы $10 млрд. (11,41 трлн. вон) или на 25% больше, чем в прошлом году. Компания SK Hynix инвестирует в развитие $6,13 млрд. (7 трлн. вон), из которых только на заводы пойдёт $4 млрд. (4,6 трлн. вон).

Остальные лидирующие компании полупроводникового сектора, если верить источнику, в 2017 году последовательно сократят капитальные расходы на сотни миллионов долларов США.

Основная масса капитальных инвестиций Samsung и SK Hynix придётся на увеличение производства многослойной энергонезависимой памяти 3D NAND. Основным видом деятельности обеих компаний на рынке памяти будет оставаться производство оперативной памяти типа DRAM (включая мобильную для серверов и другую).

Пропорция производства DRAM/NAND у Samsung равна 6/4, а у SK Hynix - 7/3. Запланированные на 2017 год инвестиции в линии по производству 3D NAND должны изменить эти соотношения в пользу NAND-флеш, что означает продолжение дефицита DRAM и дальнейший рост цен на оперативную память.

Изменения будут в структуре поставок памяти NAND. Пропорция будет смещаться в сторону многослойной памяти 3D NAND, которая приносит больше выручки производителям. В частности, Samsung в первом полугодии намеревается приступить к производству 64-слойной 512-Гбит 3D NAND TLC (64-слойная 256-Гбит 3D NAND TLC пошла в производство в прошлом году), а компания SK Hynix начнёт во втором квартале выпуск 72-слойной 256-Гбит 3D NAND TLC и планирует начать выпуск 72-слойной 512-Гбит 3D NAND TLC в четвёртом квартале.

Благодаря запланированным инвестициям Samsung и SK Hynix в производство 3D NAND общемировые инвестиции в производство NAND-флеш в 2017 году вырастут на 14%: с $14 млрд. в прошлом году до $16 млрд. в текущем году. Тем самым южнокорейским производителям в 2017 году будет принадлежать свыше 70 % рынка DRAM и свыше 45 % рынка NAND.

Фото: «3Dnews».

Читайте новости Comments.UA в социальных сетях facebook и twitter.

Теги: 3D NAND, инвестиции, Samsung, SK Hynix

Версия для печати
Загрузка...
Loading...
..

Партнеры портала

Price.ua - сервис сравнения цен в Украине
властьвласть деньги деньги стиль жизнистиль жизни hi-tech hi-tech спорт спорт мир мир общество общество здоровье здоровье звезды звезды
Архив Экспорт О проекте/Контакт Информатор

Нажмите «Нравится»,
чтобы читать «Комментарии» в Facebook!

Спасибо, я уже с вами.

   © «КомментарииУА:», 2016

Система Orphus