Рубрики
МЕНЮ
Виталий Войчук
Речь идёт об изделиях MRAM и RRAM для встраиваемых устройств, сообщает "3Dnews".
MRAM — это магниторезистивная память с произвольным доступом: информация в данном случае хранится при помощи магнитных моментов, а не электрических зарядов.
RRAM — это резистивная память с произвольным доступом, принцип работы которой заключается в изменении сопротивления ячейки памяти под действием приложенного напряжения. Важно отметить, что оба типа памяти являются энергонезависимыми, то есть могут сохранять записанную информацию при отсутствии внешнего питания.
TSMC планирует организовать рисковое производство eMRAM (Embedded MRAM) в 2018 году, а eRRAM — в 2019 году. Планируется задействовать 22-нанометровую технологию.
Изделия eMRAM и eRRAM, выпущенные на линиях TSMC, будут применяться в системах для "умных" автомобилей, устройствах Интернета вещей, всевозможных мобильных гаджетах и пр.
В следующем году TSMC планирует начать массовый выпуск продукции с применением передовой 7-нанометровой технологии. Эта методика будет использоваться при изготовлении микрочипов для мобильных устройств, систем высокопроизводительных вычислений и автомобильной техники.
Фото: "3Dnews"
Обсуждения
Новости партнеров
Новости