Micron и Intel прекращают совместную разработку 3D NAND

В настоящий момент партнёры начинают наращивать производство фирменной 3D NAND второго поколения — это 64-слойные микросхемы, сообщает "3Dnews".

Третье совместно разработанное поколение 3D NAND компании представят в конце 2018 года, а с началом 2019 года перестанут сотрудничать в области разработки новых модификаций 3D NAND. В дальнейшем каждая из компаний будет самостоятельно разрабатывать многослойную NAND-флеш в зависимости от собственных бизнес-потребностей.

Партнёры продолжат совместную разработку энергонезависимой памяти 3D XPoint. В этом плане Intel продолжает сильно зависеть от компании Micron. Первым выпуск микросхем 3D XPoint начал завод СП Micron и Intel в Штате Юта. В настоящее время это производство выпускает исключительно память 3D XPoint, хотя какие-то объёмы данной памяти выпускают также завод Intel в Китае (в городе Далянь) и завод СП в Сингапуре. Завод в Юте остаётся базовым для выпуска 3D XPoint, и его к ноябрю прошлого года дополнительно расширили. Что касается производства памяти 3D NAND, то год назад компания Intel завершила модернизацию завода в Китае и в скором времени сможет полностью обеспечить себя этими микросхемами памяти самостоятельно.

Деятельность совместного предприятия партнёров в лице компании IM Flash Technologies не сворачивается. Предприятие IMFT создано в конце 2005 года, и оно продолжит свою работу. С образованием IMFT Intel вышла на рынок памяти типа NAND, хотя до этого она владела набором ключевых патентов на технологию работы и производства NAND-флеш, в частности, на технологию производства ячейки MLC. Micron вышла на рынок NAND на год раньше Intel, но до союза с ней не имела какого-то успеха на нём.

Быстро подняться на новом рынке каждой из них помогли заказы Apple на память NAND для плееров iPod nano. На стадии создания СП в ноябре 2005 года партнёры получили от Apple аванс в размере $250 млн. В дальнейшем может так оказаться, что компании Micron придётся платить Intel лицензионные отчисления за использование определённых технологий при производстве памяти NAND.

Фото: "3Dnews"