GlobalFoundries отмечает рост заявок на 22FDX

Чипы с нормами 28-нм на пластинах FD-SOI она выпускала либо самостоятельно, либо частично размещала на линиях Samsung, сообщает "3Dnews".

Внедрять новые техпроцессы в компании посчитали нецелесообразным, хотя пока не ясно, откажется STMicroelectronics от гонки за новыми техпроцессами или нет. На повестке дня стоит переход на EUV-литографию, что значительно повышает ценовой порог перехода на следующий уровень.

Переход STMicroelectronics в статус клиента GlobalFoundries сделал хорошую рекламу техпроцессу 22FDX (планарный, 22 нм, пластины DF-SOI). Начало производства чипов с использованием техпроцесса 22FDX сначала стартует на заводе GlobalFoundries в Дрездене. Произойдёт это ближе к середине года. Кроме европейцев техпроцессом 22FDX заинтересовались китайские компании.

Ранее GlobalFoundries заявляла, что три крупных китайских разработчика — Shanghai Fudan Microelectronics Group, Rockchip и Hunan Goke Microelectronics, изъявили желание выпускать чипы с использованием техпроцесса 22FDX. Движение STMicroelectronics в сторону GlobalFoundries, как на днях заявили в руководстве чипмейкера, вызвало значительный рост заявок на техпроцесс 22FDX со стороны целого ряда других китайских компаний.

Техпроцесс 22FDX будет доступен в Китае. Для этого GlobalFoundries в прошлом году начала строить завод вблизи города Чэнду. Предприятие под именем Fab 11 начнёт получать оборудование в ближайшие недели и обещает начать работу в октябре 2018 года. На первых порах завод Fab 11 будет выпускать 130-нм продукцию, возможно, на SOI-подложках. Скорее всего, туда переедет бывшее в употреблении оборудование с сингапурских заводов GlobalFoundries.

Производство с использованием техпроцесса 22FDX в Китае компания планирует начать в 2019 году.

Как сообщают в GlobalFoundries, чипы с использованием 22FDX смогут работать с напряжением 0,4 В в режимах сверхмалого потребления. По сравнению с 28-нм техпроцессом площадь 22-нм кристаллов будет на 20 % меньше и потребует на 10 % меньше фотошаблонов для литографической проекции. Если сравнивать планарный техпроцесс с техпроцессом FinFET, то сокращение числа фотошаблонов для иммерсионной литографии составит 50 %. Всё это означает удешевление производства с сохранением ряда преимуществ техпроцесса с транзисторами FinFET.

Фото: "3Dnews"