В Китае начнётся производство DRAM

В начале 2017 года для выпуска памяти компания JHICC приступила к строительству завода с прицелом на обработку 300-мм кремниевых пластин, сообщает "3Dnews".

Строительство быстро набрало темп и уже к середине мая шло с опережением графика на 20 дней. Впоследствии разрыв между планами и реальным положением дел увеличился ещё сильнее. В итоге цеха были возведены к середине ноября, что вышло быстрее запланированного примерно на два месяца.

Установка промышленного оборудования в цехах завода JHICC завершится не позднее июля, а уже в сентябре компания рассчитывает начать опытное производство памяти типа DRAM. На предприятии будет внедрён техпроцесс производства памяти, разработанный тайваньской компанией UMC (United Microelectronics). Она также принимает участие в финансировании строительства завода, хотя основное бремя финансовых вливаний взял на себя проправительственный фонд Fujian An Xin Industrial Investment (учреждён компанией Fujian Electronics & Information Group и властями города Цюаньчжоу и городского уезда Цзиньцзян). Завод, если верить источнику, уже получил поддержку в размере $5,3 млрд. В строительство и запуск предприятия фонд Fujian An Xin Industrial Investment планирует вложить около $8 млрд.

В заключение напомним, что компании UMC и JHICC попали под огонь юридической атаки американской Micron. Компания Micron обвиняет UMC и некоторых её сотрудников в краже технологий по выпуску оперативной памяти. В ответ UMC и JHICC подали в суды Китая ответные иски против Micron, утверждая о нарушении последней патентного законодательства в этой стране. Запуску предприятия JHICC и выпуску в Китае памяти DRAM ничего не угрожает.

Фото: "3Dnews"