Разработка 3D NAND потребовала $1 миллиард и более 2 лет

На выставке была показана первая разработанная и произведённая в этой стране многослойная память 3D NAND, сообщает "3Dnews".

В апреле Yangtze Memory на построенном в прошлом году заводе для обработки 300-мм кремниевых пластин приступила к установке и наладке производственного оборудования для выпуска памяти 3D NAND. Массовое производство первой продукции — 32-слойных микросхем предположительно ёмкостью 64 Гбит (8 Гбайт) — начнётся позже в текущем году. Но опытное производство уже ведётся и производителю есть, что привезти и показать на выставке.

Представители компании подчеркнули, что технология производства 3D NAND разработана собственными усилиями в течение двух последних лет. Над разработкой трудилось свыше 1000 инженеров, а финансовые затраты на поддержку проекта оценены на уровне 11 млрд. юаней (свыше $1 млрд.).

Китай заявляет, что владеет правами на интеллектуальную собственность в области производства многослойной флеш-памяти и может спокойно выходить с этой продукцией на мировой рынок. Разработка "национальной" памяти 3D NAND вряд ли была бы выполнена так быстро, если бы не прямая помощь, базовые разработки и патенты американо-японской компании Spansion.

Фото: Yangtze Memory Technology