TDP процессора Snapdragon 1000 может достигать 12 Вт

В распоряжении сетевых источников оказались новые данные об этом чипе, сообщает "3Dnews".

Ранее говорилось, что максимальное значение рассеиваемой тепловой энергии (показатель TDP) изделия Snapdragon 1000 составит около 6,5 Вт. Однако примерно таким значением обладает недавно представленный чип Snapdragon 850, который по производительности останется позади будущего решения Snapdragon 1000.

В случае Snapdragon 1000 величина TDP будет достигать 12 Вт. По этому показателю новый процессор Qualcomm вплотную приблизится к чипам Intel Kaby Lake R U-Series, таким как Core i5-8250U и Core i7-8550U, у которых номинальное значение TDP равно 15 Вт.

В результате, делают вывод наблюдатели, платформа Snapdragon 1000 обеспечит весьма ощутимый прирост быстродействия по сравнению с решением Snapdragon 850. Высказываются предположения, что основой нового процессора послужат передовые вычислительные ядра Cortex-A76, представленные компанией ARM всего несколько дней назад. При производстве чипов будет применяться 7-нанометровая технология. Тактовая частота может достигать 3 ГГц и более.

Официальные характеристики Snapdragon 1000, по всей видимости, будут объявлены ближе к концу нынешнего года.

Фото: "3Dnews"