Главная Новости HI-tech IBM сделает память в 100 раз быстрей
commentss НОВОСТИ Все новости

IBM сделает память в 100 раз быстрей

«Флешки» уйдут в прошлое уже через пять лет. Об этом заявила корпорация IBM, презентуя свою новую разработку phase change memory (PCM, изменяемой фазовой памяти).

1 июля 2011, 10:05
Поделитесь публикацией:
IBM сделает память в 100 раз быстрей

Инженеры IBM сообщили, что PCM минимум в 100 раз быстрей, надежней хранит информацию и выдерживает больше циклов перезаписи, чем у Flash. Это даст возможность новому типу носителей информации заменить конкурирующую технологию уже в течение нескольких следующих лет.

В отличие от транзисторов во флеш-памяти, где может храниться только один бит информации, разработчики использовали в PCM специальные сплавы, которые могут переходить из кристаллического состояния в аморфное и "запоминать" до четырех бит. Это позволит хранить больше информации в носителе меньшего размера.

Еще одним кардинальным отличием PCM от Flash является число циклов перезаписи. Так, разработка сотрудников IBM выдерживает 10 млн циклов перезаписи, в то время когда флеш-накопители – 30 тыс. в классе корпоративных устройств и 3 тыс. в потребительской технике.

Разработчики утверждают, что новый тип памяти поступит на массовый рынок уже в 2016 году, а его цена будет доступной для установки в потребительскую электронику.



Читайте Comments.ua в Google News
Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.
comments

Новости партнеров


Новости

Подписывайтесь на уведомления, чтобы быть в курсе последних новостей!