Создана первая в мире печатная энергонезависимая память

Исследователи смогли объединить технологию ферроэлектрической полимерной памяти Thinfilm, предусматривающую формирование ячеек методом печати, и транзисторную технологию PARC, основанную на применении комплементарных пар транзисторов n-типа и p-типа для формирования цепей. В итоге был получен "органический эквивалент" КМОП-микросхем.

Представленные образцы памяти Thinfilm Addressable Memory не могут похвастаться высоким быстродействием и ёмкостью; их достоинства в другом: они обладают гибкостью и низкой себестоимостью производства.

Учёные считают, что разработанная методика приближает эру "Интернета вещей" (Internet-of-Things), где каждый предмет имеет собственный IP-адрес и подключен к Сети через "умные метки" (Smart Tag). Для массового производства таких меток необходима недорогая перезаписываемая энергонезависимая память, которая может быть интегрирована с различными сенсорами и другими электронными компонентами.

Ожидается, что память Thinfilm Addressable Memory станет доступна в 2012 году.

Читайте Comments.ua в Google News