Компьютерная память станет в 10 раз быстрее

Американская компания Micron Technology объявила о намерении приступить к коммерческому производству многослойных чипов памяти DRAM, которые будут работать в 10 раз быстрее по сравнению с современными технологиями хранения информации, говорится в официальном сообщении.

Речь, в частности, идет о полупроводниковых элементах под названием Micron Hybrid Memory Cube (HMC), состоящих из нескольких чипов, наложенных друг на друга и соединяющихся вертикальными перемычками.

Технология соединения отдельных чипов в куб заимствована у корпорации IBM. Она способна обеспечить пропускную способность 128 ГБ/с по сравнению с 12,8 ГБ/с, которую способны обеспечить наиболее производительные современные образцы компьютерной памяти (с интерфейсом DDR3).

Кроме того, память Micron HMC требует на 70% меньше электроэнергии для своей работы и занимает в 10 раз меньше пространства в расчете на единицу емкости по сравнению с обычной современной памятью, говорится в сообщении сторон.

Выпускать модули планируется на современном заводе IBM в г. Ист Фишкилл, штат Нью-Йорк, США, на основе 32-нм технологической нормы, с использованием транзисторов с металлическим затвором и диэлектриком с повышенной диэлектрической проницаемостью (технология High-K Metal Gate).

Предполагается, что на первом этапе устройства HMC найдут коммерческое применение в крупных вычислительных сетях и системах для высокопроизводительных вычислений, затем — в промышленной автоматизации, и уже после этого — на рынке потребительских решений.

"Переход к производству 3D-полупроводников — прорыв в индустрии", — заметил научный сотрудник IBM Сабу Лайер (Subu Iyer), добавив, что данная технология выйдет за пределы производства компьютерной памяти. По его словам, трехмерная память позволит существенно расширить функциональность устройств и продлить время автономной работы. Она может быть как самостоятельной деталью устройства, так и аналогичным образом наложена на центральный процессор (такой подход уже давно реализуется, например, в процессорах для iPhone и iPad).

Разработка трехмерных полупроводников ведется не первый год. При этом работа осуществляется в двух направлениях. Одни накладывают чипы друг на друга, как в случае Micron и IBM, другие — размещают в пространстве непосредственно электрическую разводку. В сентябре 2008 г. ученые из Университета Рочестера, который также находится в штате Нью-Йорк, заявили, что 3D-процессоры могут быть в 10 раз меньше современных чипов и во столько же раз производительнее.

Термин "3D" также фигурирует в материалах, посвященных процессорам Intel нового поколения, начало производства которых запланировано на конец года. Однако их структура по-прежнему будет планарной, изменится лишь конструкция транзисторов.

Отметим, что Intel также участвует в разработке технологии наложения чипов друг на друга, вместе с IBM и Micron (а с последней у нее есть даже совместное предприятие по выпуску флэш-памяти). В сентябре на конференции Intel Developer Forum представители корпорации демонстрировали прототип трехмерной памяти.

Более подробную информацию о памяти, которую собирается выпускать Micron, стороны планируют представить на конференции IEEE International Electron Devices Meeting в грядущий понедельник, 5 декабря. В компании ожидают, что продажи памяти начнутся во второй половине 2013 г.

Читайте Comments.ua в Google News