Samsung анонсировала модули памяти DDR4

Об этом сообщает "CyberSecurity".

В Samsung говорят, что новая память имеет более высокую скорость работы в сравнении с нынешними модулями DDR3, что позволяет эффективнее использовать мощности современных многоядерных процессоров и быстрее обрабатывать данные. 

Новые модели памяти пока создаются по 30-нанометровому процессу и в соответствии со стандартами Samsung Green Memory, но в будущем Samsung намерена наладить выпуск 20-нанометровых чипов.

На сегодня у Samsung есть тестовые образцы модулей памяти емкостью 8 и 16 гигабайт. В данных модулях используется несколько отличная от DDR3 цепь питания, позволяющая чипам работать быстрее. За счет этого DDR4 работают почти вдвое быстрее, чем современные модули DDR3 1600 МГц. Кроме того, модули DDR4 будут работать не только с напряжением 1,35 вольт, как у DDR3, но и напряжением 1,2 вольт.

Читайте Comments.ua в Google News