Hynix создала первые чипы памяти с технологией межслойных соединений

Об этом сообщает "3DNews".

Эти микросхемы превосходят доступные на рынке образцы памяти по скорости и эффективности потребления энергии.

Созданная совместно с корпорацией AMD новая память состоит из четырех чипов DRAM, изготовленных по 40-нм техпроцессу и объединенных в один модуль посредством "связи сквозь кремний". За счет размещения компонентов ближе друг к другу, чем раньше, повышается быстродействие, уменьшаются габариты и энергопотребление полупроводниковых микросхем. В случае с разработкой Hynix и AMD энергоэффективность повышена на 40%, а напряжение питания составляет 1,2 В.

Пропускная способность TSV-памяти составляет 128 Гбит/с, что в четыре раза больше по сравнению с чипами GDDR5, пишет The Korea Herald.

Такая производительность найдет применение в суперкомпьютерах, серверах и вычислительных устройствах, от которых требуется высокая графическая мощь.

В SK hynix обещают начать серийное производство памяти с использованием технологии межслойных соединений во второй половине будущего года.

Читайте Comments.ua в Google News