SanDisk и Toshiba представили 15-нм техпроцесс для чипов флеш-памяти

Об этом сообщает "3DNews".

Использование этой технологии планируется в NAND-памяти с архитектурами "два бита на ячейку" (X2) и "три бита на ячейку" (X3), а массовое производство стартует во второй половине текущего года.

Как отметил старший вице-президент по технологиям памяти компании SanDisk Сива Сиварам (Siva Sivaram), переход на 15-нм техпроцесс позволит создать самый компактный и наиболее энергоэффективный в мире 128-Гбит чип.

Напомним, SanDisk в области флеш-памяти тесно сотрудничает с компанией Toshiba. Поэтому японский производитель также сегодня выпустил соответствующий пресс-релиз, представляющий новую 15-нм технологию. Очевидно, речь идёт об одной и той же совместной разработке, хотя в своих пресс-релизах партнёры друг друга не упоминают. Toshiba, в свою очередь, пообещала выпустить 128-Гбайт флеш-чипы с архитектурой "два бита на ячейку" уже в конце апреля. Производство будет налажено на заводе Fab 5 Yokaichi Operations.

Несмотря на более компактные габаритные размеры, новые чипы будут иметь такие же скорости записи, как и микросхемы предыдущего поколения, выпущенные на базе 19-нм техпроцесса. При этом скорость передачи данных вырастет до 533 Мбит/с, то есть в 1,3 раза, благодаря внедрению высокоскоростного интерфейса. Наладить выпуск чипов с "тремя битами на ячейку" Toshiba пообещала к июню этого года.

Читайте Comments.ua в Google News