GlobalFoundries добавила 12-нм нормы в свои планы развития FD-SOI

Но это лишь один из техпроцессов, которые GlobalFoundries предлагает своим клиентам, сообщает "3Dnews".

Например, другими популярными нормами являются 22-нм 22FDX на основе планарных транзисторов и технологии полностью обеднённого кремния на изоляторе (FD-SOI).

Компания отмечает, что 22FDX хорошо подходит для тех случаев, когда клиенту нужна высокая производительность, относительно низкое энергопотребление и доступная стоимость производства, особенно в продуктах, где необходимо интегрировать радиомодемы, аналоговые модули, память и логику на одном чипе. Дело в том, что по производительности и другим характеристикам он приближается к 14/16-нм нормам FinFET, но при этом не требует использования дорогой EUV-литографии, а кристалл требует вдвое меньше масок, хотя и занимает заметно больше площади. В результате достигается относительно невысокая стоимость, на уровне 28-нм норм.

По заявлению GlobalFoundries, следующее поколение технологии, 12FDX, сможет обеспечить производительность на уровне с 10-нм техпроцессом FinFET, отличаясь при этом большей энергоэффективностью и меньшей стоимостью по сравнению с 16-нм нормами FinFET. Преимущество над современными технологиями FinFET по производительности составит 15 %, а по энергоэффективности — 50%.

GlobalFoundries собирается освоить 12-нм нормы FD-SOI на своей фабрике Fab 1 в Дрездене (Германия). Но произойдёт это не скоро — полупроводниковая кузница ожидает, что первые чипы достигнут стадии готовности к производству (tape out) на этом техпроцессе лишь в первой половине 2019 года.

Читайте Comments.ua в Google News