Samsung грозит суд из-за FinFET

Корейский институт передовых технологий (KAIST) обвиняет Samsung в незаконном использовании защищённых технологий при производстве микрочипов

Речь идёт о методике FinFET, которая предусматривает использование транзисторов с передовой 3D-структурой, сообщает "3Dnews".

По заявлениям стороны обвинения, эта технология изначально была разработана специалистами KAIST в партнёрстве с профессором Ли Чен-Хо из Сеульского университета.

Впоследствии компания Samsung пригласила Чен-Хо для проведения презентации на тему FinFET. Это якобы позволило инженерам южнокорейского гиганта в сжатые сроки и при меньших затратах внедрить названную методику на своих предприятиях.

В KAIST заявляют, что Samsung использует защищённую технологию без разрешения и выплаты отчислений. На этом основании истцы намерены требовать от ответчиков выплаты компенсации.

Под удар попала компания Global Foundries, использующая технологию на условиях лицензионного соглашения с Samsung.

Разбирательство грозит Qualcomm, которая пользуется услугами и Samsung, и Global Foundries.

Говорится о возможности подачи иска против TSMC.

Фото: "3Dnews".