SK Hynix и Toshiba создали STT-MRAM ёмкостью 4 Гбит

Информация в MRAM хранится при помощи магнитных моментов, а не электрических зарядов, сообщает "3Dnews".

Магнитные элементы сформированы из двух ферромагнитных слоёв, разделённых тонким слоем диэлектрика. Один из слоёв представляет собой постоянный магнит, намагниченный в определённом направлении, а намагниченность другого слоя изменяется под действием внешнего поля.

SK Hynix и Toshiba применяют технологию STT-MRAM — Spin-Transfer Torque Magnetic Random Access Memory. Она использует "перенос спина" для перезаписи ячеек памяти. Данный эффект позволяет уменьшить величину тока, необходимую для записи информации в ячейку.

Модуль памяти STT-MRAM, созданный специалистами SK Hynix и Toshiba, имеет ёмкость 4 Гбит. Он состоит из восьми блоков объёмом 512 Мбит каждый. Изделие обладает энергонезависимостью, малым временем доступа и высокой скоростью передачи данных.

Более подробно о решении компании расскажут на мероприятии ISSCC 2017, которое пройдёт в феврале. Вывести разработку на коммерческий рынок SK Hynix и Toshiba рассчитывают в течение двух-трёх лет.

Фото: "3Dnews".

Читайте Comments.ua в Google News