SK Hynix построит в Китае второй завод

Инвестиции в проект оценены в $8,6 млрд., сообщает "3Dnews".

Проектная мощность предприятия составит 200 тыс. 300-мм пластин в месяц. Техпроцесс будет класса 10 нм. В настоящий момент SK Hynix проводит миграцию производства памяти DRAM на технологические нормы 18 нм.

Первый и пока единственный свой завод в Китае по выпуску памяти DRAM компания SK Hynix ввела в строй в 2006 году. О планах модернизации предприятия компания заявила в конце 2016 года. Перевооружение линий стартовало в июле этого года и продлится до апреля 2019 года. Это послужило толчком к возникновению дефицита на рынке памяти. В модернизацию линий SK Hynix вложит $853,8 млн. Текущая мощность завода составляет 130 тыс. 300-мм пластин в месяц. Это примерно половина от всей выпускаемой SK Hynix памяти. Второй завод компании, когда он будет построен, едва ли не удвоит объёмы выпуска DRAM SK Hynix.

Samsung планирует инвестиции в домашнее производство памяти. Она рассматривает вариант миграции в 2018 году с выпуска NAND на DRAM на новом заводе вблизи города Пхёнтхэк (Line 18), для чего может быть отдан второй этаж в новых цехах, а также изучает вопрос расширения линий (постройка новых корпусов) на старом заводе Line 17. В Китае Samsung выпускает только NAND память. Остаётся надеяться, что бряцанье со всех сторон оружием в регионе ничем плохим не закончится. В Южной Корее сосредоточено до 70 % мощностей по выпуску компьютерной памяти.

Фото: SK Hynix

Читайте Comments.ua в Google News