Представлена 3D NAND с рекордной плотностью хранения данных

Со второго по шестое декабря в Сан-Франциско прошла конференция IEDM 2017 (IEEE International Electron Devices Meeting)

Среди прочих докладов интересно отметить выступление представителей тайваньской компании Macronix, сообщает "3Dnews".

Macronix на IEDM 2017 представила 3D NAND с новой высокоплотной структурой SGVC или single-gate vertical channel (вертикальный канал с одним затвором). Все остальные компании выпускают 3D NAND с затворами, которые окружают вертикальный канал со всех сторон - с круговым охватом или gate-all-around (GAA). За счёт использования меньшего по объёму затвора вертикальные каналы в 3D NAND Macronix удалось расположить ближе друг к другу - плотнее. Можно рассчитывать, что себестоимость хранения данных в 3D NAND Macronix будет меньше, чем в случае 3D NAND других производителей.

Компания не сообщает о площади опытного кристалла 3D NAND с SGVC-ячейками. Без этого параметра нельзя однозначно утверждать, что память Macronix плотнее той же V-NAND Samsung, хотя поверхностное сравнение говорит о преимуществе разработки тайваньской компании. 128-Гбит память Macronix выполнена в виде 16 слоёв с MLC-ячейкой (два бита в ячейке), а рекорд Samsung - это 512-Гбит 3D NAND TLC, которая состоит из 64 слоёв. Каждый слой памяти Macronix содержит 8 Гбайт данных в двухбитовых ячейках, а каждый слой памяти Samsung хранит те же 8 Гбайт данных, но в трёхбитовых ячейках.

Фото: "3Dnews"