Раскрыт секрет материала для сверхбыстрой памяти

Речь идёт о слоистом дисульфиде тантала, сообщает "3Dnews".

В 2014 году в этом материале было выявлено так называемое "скрытое состояние вещества". При воздействии на образец сверхкороткими лазерными или электрическими импульсами в облучённой области меняется состояние материала. В результате, он из диэлектрика превращается в проводник или наоборот.

Такое свойство позволяет использовать материал для хранения данных — логических нолей и единиц. Переключение между состояниями происходит за одну пикосекунду — на порядки быстрее, чем в самых "быстрых" материалах, используемых в качестве основы современной компьютерной памяти. Полученное после воздействия на материал состояние не исчезает, а сохраняется.

До сих пор оставалось непонятным, почему вещество ведёт себя описанным образом и почему после возбуждения система не возвращается в своё исходное состояние, а продолжает оставаться в изменённом виде неограниченно долго.

Предложенная российскими исследователями теория как раз и объясняет необычные свойства материала.

"После обработки электрическими импульсами в образце слоистого дисульфида тантала часть атомов металла вылетает из решётки, из-за чего формируются дефекты — заряжённые вакансии электронного кристалла. Но вместо того, чтобы максимально дистанцироваться друг от друга, заряды "размазываются" по линейным цепочкам атомов тантала, образующим границы зон с разным состоянием атомов тантала — доменов, а затем эти цепочки вообще связываются в некую глобальную сеть. Именно манипуляции этой наносетью отвечают за эффекты переключения и памяти", — говорится в исследовании.

Фото: "3Dnews"

Читайте Comments.ua в Google News