logo

Coinspot 06.06.2020

BTC/USD

9617.45

ETH/USD

240.64

LTC/USD

46.56

НБУ 06.06.2020

USD/UAH

26.85

EUR/UAH

30.40

RUB/UAH

0.39

comment

Рубрики

comment

МЕНЮ

Главная Новости IT Samsung планирует начать выпуск чипов
commentss НОВОСТИ Все новости

Samsung планирует начать выпуск чипов

На конференции Samsung Foundry Forum (SFF) 2018 USA представители южнокорейского производителя рассказали о будущих техпроцессах с нормами 7 нм, 5 нм, 4 нм и 3 нм

24 мая 2018, 12:40
Автор:

Samsung планирует начать выпуск чипов

Техпроцесс 7LPP (7nm Low Power Plus) будет готов к выпуску решений во втором полугодии текущего года, сообщает "3Dnews".

Полный комплект IP-блоков в виде готовых для применения разработчиками решений для техпроцесса 7LPP будет подготовлен лишь в первой половине 2019 года. Это отсрочит появление массовых 7-нм чипов, но не отпугнёт тех, которые готовы самостоятельно разрабатывать схемотехнику для скорейшего выпуска 7-нм продукции. Qualcomm готова выпускать 5G-чипы с использованием техпроцесса Samsung 7LPP. Это будет первый в индустрии техпроцесс, который станет частично использовать сканеры диапазона EUV.

Следующим техпроцессом, который Samsung намерена внедрить в производство в 2019 году, станет техпроцесс 5LPE (5nm Low Power Early). Для техпроцесса с нормами 7 нм нет "раннего" варианта типа 7LPE (Early). В компании сразу решили переходить к частичному использованию сканеров EUV. Поэтому техпроцесс 5LPE станет чем-то вроде развитой версии техпроцесса 7LPP, что позволит уменьшить площадь кристаллов и увеличить энергоэффективность решений. Это всё ожидается в следующем году, когда TSMC будет только начинать использовать сканеры EUV для второго поколения своего 7-нм техпроцесса. У Samsung очень агрессивный план по внедрению новых техпроцессов.

В 2020 году на основе внедрённого в производство техпроцесса 5LPE и с учётом всех выявленных недочётов компания Samsung планирует внедрить в производство техпроцессы 4LPE/LPP (4nm Low Power Early/Plus). Решения с нормами 4 нм сохранят структуру вертикальных транзисторов FinFET, хотя ранее компания на этом этапе планировала перейти на кольцевые затворы. Было принято решение не экспериментировать, а внедрять то, что пока ещё может работать. Техпроцесс 5LPP отсутствует в планах компании, а заменить его, по-видимому, решено 4-нм техпроцессом.

Техпроцесс с нормами 3 нм и кольцевыми затворами Gate-All-Around в виде версий 3GAAE/GAAP (3nm Gate-All-Around Early/Plus) компания собирается внедрить в 2021 году. Кольцевые затворы будут окружать транзисторные каналы со всех сторон, что позволит удержать рабочие токи на заданном уровне, несмотря на сильно измельчавшие каналы и площади затворов. Samsung выбрала в качестве затворов наностраницы, а не нанопровода. Кольцевые затворы в разрезе будут выглядеть как прямоугольники со скруглёнными краями.

Подробные и ожидаемые характеристики транзисторов для всех указанных техпроцессов Samsung обещает обнародовать позже.

Фото: wsj.com


Подписывайтесь на наш Telegram-канал, чтобы первыми узнать о самых важных событиях!


Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.
comments

Новости партнеров

Новости

Подписывайтесь на уведомления, чтобы быть в курсе последних новостей!