Galaxy S8 Active замечен в Geekbench

Аппаратной основой устройства послужит платформа Snapdragon 835, сообщает "3Dnews".

Этот чип, разработанный компанией Qualcomm, производится по 10-нанометровой технологии. Изделие содержит восемь вычислительных ядер Kryo 280 с тактовой частотой до 2,45 ГГц, мощный графический ускоритель Adreno 540 и модем X16 LTE со скоростью загрузки данных до 1 Гбит/с.

Galaxy S8 Active получит пылевлагозащищённое исполнение. Говорится об устойчивости к падениям, ударам, тряске и вибрациям.

Объём оперативной памяти составит 4 Гбайт. Данные Geekbench говорят о том, что аппарат функционирует под управлением операционной системы Android 7.1 Nougat.

Наблюдатели полагают, что новинка будет оснащена довольно мощной аккумуляторной батареей ёмкостью около 4000 мА•ч. Упомянута поддержка технологии беспроводной подзарядки.

В первом квартале нынешнего года, по оценкам, в глобальном масштабе было реализовано 347,4 млн. смартфонов. Это на 4,3 % больше по сравнению с первой четвертью 2016 года, когда поставки равнялись 332,9 млн. единиц.

Фото: "3Dnews"

Читайте Comments.ua в Google News